中文参数如下:
典型关闭延迟时间:56 ns
上升时间:24 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:30 ns
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.1 Ohms
漏极连续电流:4.3 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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