NDS8852H

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 1539
说明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

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NDS8852H PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21 ns, 21 ns
上升时间：13 ns, 21 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5 ns, 8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：4.3 A, - 3.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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