NDS8858H

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 1557  
说明:
 MOSFET CMOSFET Half Bridge
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NDS8858H PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:NDS8858H_NL
典型关闭延迟时间:29 ns, 40 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:13 ns, 20 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:10 ns, 19 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Common Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.035 Ohms
漏极连续电流:6.3 A, - 4.8 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDS8858H的详细信息,包括NDS8858H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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