NDP603AL

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 855
说明：: MOSFET N-Channel FET LL Enhancement

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NDP603AL PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：90 ns
上升时间：70 ns
功率耗散：50 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：80 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.022 Ohms
漏极连续电流：25 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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