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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 37.5A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)60V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs115nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4000pF @ 25V
功率 - 最大150W
安装类型通孔
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