首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NDP6060_Q

NDP6060_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB
数量：
 1953  
说明：
 MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NDP6060_Q-TO-220AB图片

NDP6060_Q PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns
上升时间：145 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：77 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.025 Ohms
漏极连续电流：48 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDP6060_Q的详细信息，包括NDP6060_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPP80N06S208AKSA2
  • STU9N60M2
  • TSM150P03PQ33 RGG
  • STD9N60M2
  • SQJA20EP-T1_BE3
  • IRFR010PBF-BE3
  • TJ90S04M3L,LXHQ
  • RD3P175SNFRATL
  • SQJA20EP-T1_GE3
  • SIS184DN-T1-GE3

    • 相近型号推荐

    • NDP7050图片

      NDP7050

      MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

    • NDP7050L图片

      NDP7050L

      MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

    • NDP7061图片

      NDP7061

      MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC