NDP6030PL_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 1926
说明：: MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDP6030PL_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
上升时间：60 ns
功率耗散：75 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：52 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.037 Ohms
漏极连续电流：52 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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