MMBTH10

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23-3
数量：: 2988
说明：: 射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor

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MMBTH10 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：MMBTH10_NL
工厂包装数量：3000
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
增益带宽产品fT：650 MHz (Min)
直流电流增益 hFE 最大值：60 at 4 mA at 10 V
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60
功率耗散：225 mW
集电极连续电流：0.05 A
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
最大工作频率：650 MHz
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频双极小信号晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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