首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SOT-23-3（TO-236）
数量：
 3096  
说明：
 两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
MMBTH10LT1G-SOT-23-3（TO-236）图片

MMBTH10LT1G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
增益带宽产品fT：650 MHz
集电极—射极饱和电压：25 V
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MMBTH10LT1G的详细信息，包括MMBTH10LT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC044TUBTL
  • DTA043TUBTL
  • DTC123YCA-HF
  • DTA123YCA-HF
  • DTA143XCA-HF
  • DTC114WCA-HF
  • DTC113ZCA-HF
  • DTC143XCA-HF
  • DTC114YCA-HF
  • DTA114YCA-HF

    • 相近型号推荐

    • MMBTH10RG图片

      MMBTH10RG

      射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor

    • MMBTH11图片

      MMBTH11

      射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC