MMBTH10M3T5G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-723
数量：: 3132
说明：: 两极晶体管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS

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MMBTH10M3T5G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：8000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：640 mW
直流电流增益 hFE 最大值：60 at 4 mA at 10 V
封装形式：SOT-723
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
增益带宽产品fT：650 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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