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MMBTH10_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23
数量：
 3789  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
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MMBTH10_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
增益带宽产品fT：650 MHz
最大直流电集电极电流：0.05 A
集电极—射极饱和电压：25 V
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBTH10_Q的详细信息，包括MMBTH10_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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