MJD44H11TM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-252
数量:
 7287  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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MJD44H11TM PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:MJD44H11TM_NL
工厂包装数量:2500
包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:20 W
集电极连续电流:8 A
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:60
增益带宽产品fT:50 MHz
最大直流电集电极电流:8 A
集电极—射极饱和电压:80 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
集电极—基极电压 VCBO:5 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MJD44H11TM的详细信息,包括MJD44H11TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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