MJD45H11TM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252
数量：: 8719
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

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MJD45H11TM PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：MJD45H11TM_NL
工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：20 W
直流电流增益 hFE 最大值：60
集电极连续电流：- 8 A
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
增益带宽产品fT：40 MHz
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—射极饱和电压：- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 80 V
集电极—基极电压 VCBO：- 5 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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