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MJD49T4

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-252
数量：
 6147  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
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MJD49T4 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最大功率耗散：15 W
直流电流增益 hFE 最大值：150
集电极连续电流：1 A
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：30
增益带宽产品fT：10 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
集电极—射极饱和电压：350 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：350 V
集电极—基极电压 VCBO：450 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：STMicroelectronics

以上是MJD49T4的详细信息，包括MJD49T4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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