MJD45H11T4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-252-3 (DPAK)
数量：: 6868
说明：: 两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP

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MJD45H11T4G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：20 W
集电极连续电流：8 A
封装形式：TO-252-3 (DPAK)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 2 A at 1 V
增益带宽产品fT：90 MHz
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：5 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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