MJD45H11

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-252-3 (DPAK)
数量：: 7065
说明：: 两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP

一、本商品被浏览0次.

MJD45H11 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：75
包装形式：Tube
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：20 W
集电极连续电流：8 A
封装形式：TO-252-3 (DPAK)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 2 A at 1 V
增益带宽产品fT：90 MHz
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：5 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJD45H11的详细信息，包括MJD45H11厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：