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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:120 nS
上升时间:55 nS
功率耗散:0.8 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:1.43 nC
下降时间:130 nS
包装形式:Reel
封装形式:MCPH-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):10.4 Ohms at - 4 V
漏极连续电流:200 mA
闸/源击穿电压:+/- 10 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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