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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：190 nS
上升时间：42 nS
功率耗散：800 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1.57 nC
下降时间：105 nS
包装形式：Reel
封装形式：MCPH-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.8 Ohms at 4 V
漏极连续电流：250 mA
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor
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