中文参数如下：
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封装封装/外壳：6-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：800mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6.2pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.32nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22 欧姆 @ 40mA，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：140mA
漏源电压（Vdss）：50V
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi
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