KST5401MTF_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 8172
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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KST5401MTF_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
集电极连续电流：- 0.5 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：- 150 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 150 V
集电极—基极电压 VCBO：- 160 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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