KST5551MTF

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-23-3
数量:
 2187  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KST5551MTF PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:300MHz
功率 - 最大值:350 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA
电压 - 集射极击穿(最大值):160 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA
晶体管类型:NPN
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:onsemi

以上是KST5551MTF的详细信息,包括KST5551MTF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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