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KST55MTF_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23
数量：
 11080  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KST55MTF_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
集电极连续电流：- 0.5 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：50
增益带宽产品fT：50 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 60 V
集电极—基极电压 VCBO：- 60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST55MTF_Q的详细信息，包括KST55MTF_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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