KST63MTF_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-23
数量:
 8208  
说明:
 达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial
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KST63MTF_Q PDF参数资料

中文参数如下:

直流集电极/Base Gain hfe Min:5000
集电极连续电流:- 0.5 A
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:350 mW
最大集电极截止电流:0.1 uA
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—基极电压 VCBO:30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KST63MTF_Q的详细信息,包括KST63MTF_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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