IXTX600N04T2

厂家：: Ixys
封装：: PLUS247?-3
数量：: 1818
说明：: 功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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IXTX600N04T2 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：TrenchT2 GigaMOS
输出电压：40 V
输出电流：600 A
输出端数量：1
激励器数量：Single
最小工作温度：- 55 C
最大开启延迟时间：40 ns
最大关闭延迟时间：90 ns
包装形式：Tube
封装形式：PLUS-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
最大功率耗散：1250 W
电源电流：200 A
下降时间：250 ns
上升时间：20 ns
类型：TrenchT2 GigaMOS
产品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

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