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IXTY01N100-TRL

厂家：
  IXYS
封装：
 TO-252AA
数量：
 7065  
说明：
 MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
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IXTY01N100-TRL PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：25W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：54 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.9 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 25μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 欧姆 @ 50mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Tc）
漏源电压（Vdss）：1000 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：IXYS

以上是IXTY01N100-TRL的详细信息，包括IXTY01N100-TRL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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