首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IXTY02N120P

IXTY02N120P

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-252AA
数量：
 1881  
说明：
 MOSFET 0.2Amps 1200V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IXTY02N120P-TO-252AA图片

IXTY02N120P PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

功率耗散：33 W
最小工作温度：- 55 C
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：75 Ohms
漏极连续电流：0.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTY02N120P的详细信息，包括IXTY02N120P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPD19DP10NMATMA1
  • STF22N60DM6
  • TK12Q60W,S1VQ
  • CSD19532KTT
  • IPP100N04S303AKSA1
  • NTMFS4H02NFT1G
  • IRF840HPBF
  • IPP80R1K2P7XKSA1
  • STD10N60DM2
  • TK290P60Y,RQ

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC