IXTY1N100P

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 1962  
说明:
 MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IXTY1N100P-TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63图片

IXTY1N100P PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:55 ns
工厂包装数量:75
上升时间:26 ns
功率耗散:50 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:24 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):15 Ohms
漏极连续电流:1 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:1000 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTY1N100P的详细信息,包括IXTY1N100P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • IXTY1N80P图片

    IXTY1N80P

    MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC