IXTY1R6N100D2-TRL

厂家:
  IXYS
封装:
 TO-252AA
数量:
 8172  
说明:
 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
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IXTY1R6N100D2-TRL PDF参数资料

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中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):100W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):645 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):27 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 800mA,0V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Tj)
漏源电压(Vdss):1000 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:Depletion
系列:卷带(TR)
品牌:IXYS

以上是IXTY1R6N100D2-TRL的详细信息,包括IXTY1R6N100D2-TRL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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