IXTQ180N085T

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P
数量：: 162
说明：: MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds

一、本商品被浏览0次.

IXTQ180N085T PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：30
上升时间：70 ns
功率耗散：430 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：65 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms
漏极连续电流：180 A
汲极/源极击穿电压：85 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTQ180N085T的详细信息，包括IXTQ180N085T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：