IXTQ182N055T

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-3P
数量:
 180  
说明:
 MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
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IXTQ182N055T PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:53 ns
工厂包装数量:30
上升时间:35 ns
功率耗散:360 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:38 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.005 Ohms
漏极连续电流:182 A
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ182N055T的详细信息,包括IXTQ182N055T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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