IXTQ200N06P

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-3P
数量:
 423  
说明:
 MOSFET 200 Amps 60V 0.006 Ohm Rds
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IXTQ200N06P-TO-3P图片

IXTQ200N06P PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:90 ns
工厂包装数量:30
上升时间:60 ns
功率耗散:714 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:40 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.006 Ohms
漏极连续电流:200 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ200N06P的详细信息,包括IXTQ200N06P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC