IXTP1N80

厂家：: Ixys
封装：: TO-220-3
数量：: 7506
说明：: MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds

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IXTP1N80 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：1
上升时间：19 ns
功率耗散：40 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：28 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 Ohms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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