IXTP1R6N50D2

厂家：: Ixys
封装：: TO-220-3
数量：: 8190
说明：: MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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IXTP1R6N50D2 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：70 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：23.7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.75 S
下降时间：41 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220 AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.3 Ohms
漏极连续电流：1.6 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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