IXTP1R4N100P

厂家：: Ixys
封装：: TO-220-3
数量：: 8154
说明：: MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

一、本商品被浏览0次.

IXTP1R4N100P PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：50
上升时间：35 ns
功率耗散：63 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：28 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 Ohms
漏极连续电流：1.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP1R4N100P的详细信息，包括IXTP1R4N100P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：