首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IXFN48N50Q

IXFN48N50Q

厂家：
  Ixys
封装：
 SOT-227B
数量：
 5220  
说明：
 MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IXFN48N50Q-SOT-227B图片

IXFN48N50Q PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
工厂包装数量：10
上升时间：22 ns
功率耗散：500 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：48 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN48N50Q的详细信息，包括IXFN48N50Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0702NLSATMA1
  • TPH3300CNH,L1Q
  • IPD19DP10NMATMA1
  • STF22N60DM6
  • TK12Q60W,S1VQ
  • CSD19532KTT
  • IPP100N04S303AKSA1
  • NTMFS4H02NFT1G
  • IRF840HPBF
  • IPP80R1K2P7XKSA1

    • 相近型号推荐

    • IXFN520N075T2图片

      IXFN520N075T2

      功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC