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IRFD9010

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 4-HVMDIP
数量：
 6138  
说明：
 MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp
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IRFD9010-4-HVMDIP图片

IRFD9010 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：2.5 S
包装形式：Tube
封装形式：HVMDIP
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.35 Ohms
漏极连续电流：1.1 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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