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中文参数如下:
工厂包装数量:2500
功率耗散:1 W
栅极电荷 Qg:11 nC
包装形式:Tube
封装形式:HD-1
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms
漏极连续电流:- 0.6 A
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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