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IRFD9020PBF

厂家：
  Vishay Semiconductors
封装：
 4-DIP（0.300"，7.62mm）
数量：
 14294  
说明：
 MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
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IRFD9020PBF-4-DIP（0.300

IRFD9020PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：68 ns
功率耗散：1300 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：19 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：1.3 S
下降时间：29 ns
包装形式：Tube
封装形式：HexPDIP
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.28 Ohm at 10 V
漏极连续电流：1.6 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFD9020PBF的详细信息，包括IRFD9020PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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