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IRFD214PBF

厂家：
  Vishay Semiconductors
封装：
 4-DIP（0.300"，7.62mm）
数量：
 6273  
说明：
 MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp
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IRFD214PBF-4-DIP（0.300

IRFD214PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.9 S
包装形式：Tube
封装形式：HexDip-4
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2 Ohms
漏极连续电流：0.45 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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