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IRFD224

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 4-HVMDIP
数量：
 6300  
说明：
 MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
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IRFD224-4-HVMDIP图片

IRFD224 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.1 欧姆 @ 380mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：630mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：260pF @ 25V
功率 - 最大：1W
安装类型：通孔

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