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IRFD220PBF

厂家：
  Vishay Semiconductors
封装：
 4-DIP（0.300"，7.62mm）
数量：
 11416  
说明：
 MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp
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IRFD220PBF-4-DIP（0.300

IRFD220PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：22 ns
功率耗散：1000 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：22 ns
包装形式：Tube
封装形式：HexDIP-4
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：800 mOhms
漏极连续电流：0.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFD220PBF的详细信息，包括IRFD220PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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