IRFBE20S

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 5931
说明：: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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IRFBE20S-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

IRFBE20S PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.5 欧姆 @ 1.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)800V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 530pF @ 25V
功率 - 最大54W
安装类型表面贴装

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