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IRFBE30STRLPBF

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 3870  
说明：
 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRFBE30STRLPBF-D2PAK（TO-263）图片

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 2.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.1A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：78nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1300pF @ 25V
功率 - 最大：125W
安装类型：表面贴装

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