首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: I2PAK
数量：: 5778
说明：: MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

一、本商品被浏览0次.

IRFBE30LPBF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：82 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：33 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 Ohms
漏极连续电流：4.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFBE30LPBF的详细信息，包括IRFBE30LPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：