IRFBE20STRL

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 5742
说明：: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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IRFBE20STRL-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.5 欧姆 @ 1.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：530pF @ 25V
功率 - 最大：54W
安装类型：表面贴装

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