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IRF9952PBF

厂家：
  International Rectifier
封装：
 8-SO
数量：
 4752  
说明：
 MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF9952PBF-8-SO图片

IRF9952PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns, 20 ns
工厂包装数量：95
上升时间：8.8 ns, 14 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6.9 nC
下降时间：3 ns, 6.9 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：150 mOhms
漏极连续电流：3.5 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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