IRF9952PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-SO
数量:
 4752  
说明:
 MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF9952PBF-8-SO图片

IRF9952PBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:13 ns, 20 ns
工厂包装数量:95
上升时间:8.8 ns, 14 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:6.9 nC
下降时间:3 ns, 6.9 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):150 mOhms
漏极连续电流:3.5 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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