IRF9952TR

厂家：: International Rectifier
封装：: 8-SO
数量：: 4779
说明：: MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC

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中文参数如下：
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A, 2.3A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 190pF @ 15V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装

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