IRF9952QPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: SOIC-8
数量：: 3006
说明：: MOSFET

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中文参数如下：

功率耗散：2 W
栅极电荷 Qg：6.9 nC
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：150 mOhms
漏极连续电流：3.5 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
制造商：International Rectifier

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