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IRF7341GTRPBF

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 8-SO
数量：
 6142  
说明：
 MOSFET N-CH 55V 5.1A
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IRF7341GTRPBF PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：2.4W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：780pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 5.1A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A
漏源电压（Vdss）：55V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：HEXFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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