IRF7341QTRPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-SO
数量:
 6417  
说明:
 MOSFET
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IRF7341QTRPBF-8-SO图片

IRF7341QTRPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:2.4 W
栅极电荷 Qg:29 nC
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):65 mOhms
漏极连续电流:5.1 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:International Rectifier

以上是IRF7341QTRPBF的详细信息,包括IRF7341QTRPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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